Tecnologia

ReRAM, um novo tipo de armazenamento de dados digitais

O mundo tecnológico aguarda, com ansiedade, o resultado de uma parceria entre a fabricante Hynix e a HP.

As empresas estão numa empreitada para lançar os possíveis ReRAMs, uma memória que promete ser cem vezes mais rápida e econômica energicamente que a memória flash, além de ter uma capacidade de reescrita bem maior.

A HP e a Hynix Semicondutores já anunciaram o inicio do desenvolvimento conjunto dessa tecnologia memristor, que pode estar no mercado dentro de três anos.

Os dispositivos ReRAM devem começar a substituir as memórias de acesso randômico (RAM) e flash, além de, eventualmente, substituir os processadores.

A sigla ReRAM significa “Resistive Random Access Memory”, ou, memória resistiva de acesso randômico. Segundo especialistas, esse lançamento vai revolucionar a indústria das memórias.

O memristor, ou “memory resistor”, é visto como o quarto elemento básico dos circuitos na engenharia de chips, juntamente com resistores, capacitores e indutores.

A HP espera que os primeiros dispositivos contendo memristores ofereçam algo em torno de 20GB por centímetro quadrado, o dobro da capacidade projetada para as memórias flash.

Crédito da imagem – Elpida Memory. Protótipo, 64 Megabit.

Juliana Miranda, Equipe do SitedeCuriosidades.com.

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