O mundo tecnológico aguarda, com ansiedade, o resultado de uma parceria entre a fabricante Hynix e a HP.
As empresas estão numa empreitada para lançar os possíveis ReRAMs, uma memória que promete ser cem vezes mais rápida e econômica energicamente que a memória flash, além de ter uma capacidade de reescrita bem maior.
A HP e a Hynix Semicondutores já anunciaram o inicio do desenvolvimento conjunto dessa tecnologia memristor, que pode estar no mercado dentro de três anos.
Os dispositivos ReRAM devem começar a substituir as memórias de acesso randômico (RAM) e flash, além de, eventualmente, substituir os processadores.
A sigla ReRAM significa “Resistive Random Access Memory”, ou, memória resistiva de acesso randômico. Segundo especialistas, esse lançamento vai revolucionar a indústria das memórias.
O memristor, ou “memory resistor”, é visto como o quarto elemento básico dos circuitos na engenharia de chips, juntamente com resistores, capacitores e indutores.
A HP espera que os primeiros dispositivos contendo memristores ofereçam algo em torno de 20GB por centímetro quadrado, o dobro da capacidade projetada para as memórias flash.
Crédito da imagem – Elpida Memory. Protótipo, 64 Megabit.
Juliana Miranda, Equipe do SitedeCuriosidades.com.
